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8 年
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誘導器コイルのLPT4545ER1R0LM SMDのチョークPCBのドラム中心誘導器は保護した
特徴:
大き現在のチョーク コイル
低い抵抗のチョーク コイル
MPP/hi-flux/sendust/RFのカルボニル/鉄力の中心のチョーク コイル
優秀なEMIのサプレッサーのため
低いDCR共通モード
高周波および低損失共通モード
高エネルギー貯蔵
| モデル | STD. IND。 （μH） | IND.TOL. | 実際のIND。（LOC） （μH） | DCR （Ω） | 評価されたIDC （40 °C） （a） | IND.IDC （LBIAS） （30%） |
| LPT4545ER1R0LM | 1.0 | ± 15% | 0.838 | 0.004 | 7.54 | 11.11の0.54 |
| LPT4545ER1R5LM | 1.5 | ± 15% | 1.30 | 0.004 | 6.82 | 8.89の0.84 |
| LPT4545ER2R5LM | 2.5 | ± 15% | 2.55 | 0.007 | 5.84 | 6.35の1.64 |
| LPT4545ER3R3LM | 3.3 | ± 15% | 3.33 | 0.008 | 5.49 | 5.56の2.14 |
| LPT4545ER5R0LM | 5.0 | ± 15% | 5.20 | 0.012 | 4.37 | 4.45の3.35 |
| LPT4545ER100LM | 10 | ± 15% | 10.2 | 0.022 | 3.32 | 3.18の6.56 |
| LPT4545ER150LM | 15 | ± 15% | 15.0 | 0.033 | 2.69 | 2.61の9.68 |
| LPT4545ER250LM | 25 | ± 15% | 25.2 | 0.054 | 2.12 | 2.02の16.2 |
| LPT4545ER330LM | 33 | ± 15% | 32.5 | 0.076 | 1.76 | 1.78の20.9 |
| LPT4545ER500LM | 50 | ± 15% | 50.0 | 0.119 | 1.41 | 1.43の32.2 |
| LPT4545ER101LM | 100 | ± 15% | 101 | 0.219 | 1.07 | 1.01の64.8 |
| LPT4545ER151LM | 150 | ± 15% | 152 | 0.340 | 0.86 | 0.82の97.7 |
| LPT4545ER251LM | 250 | ± 15% | 248 | 0.551 | 0.67 | 0.64の159.0 |
| LPT4545ER331LM | 330 | ± 15% | 333 | 0.788 | 0.56 | 0.56の214.0 |
次元:
