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新しい元のICの破片のN-Channel 600V 44A力Mosfet STW48NM60N
タイプ | 記述 | 完全に選びなさい |
部門 | 分離した半導体製品 | |
---|---|---|
単一トランジスター- FETs、MOSFETs - | ||
製造業者 | STMicroelectronics | |
シリーズ | MDmesh™ II | |
包装 | 管 | |
部分の状態 | 活動的 | |
FETのタイプ | N-Channel | |
技術 | MOSFET (金属酸化物) | |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 600V | |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 44A (Tc) | |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V | |
(最高) @ ID、VgsのRds | 70mOhm @ 20A、10V | |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4V @ 250µA | |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 124nC @ 10V | |
Vgs (最高) | ±25V | |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 4285pF @ 50V | |
FETの特徴 | - | |
電力損失(最高) | 330W (Tc) | |
実用温度 | 150°C (TJ) | |
タイプの取付け | 穴を通して | |
製造者装置パッケージ | TO-247 | |
パッケージ/場合 | TO-247-3 | |
基礎部品番号 | STW48N |
シンセンWeiTaiXuのコンデンサーCo.、株式会社
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