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Mosfet力トランジスターDMHT3006LFJ-13 V-DFN5045-12 Mosfet BVDSS:25V-30V
記述
このMOSFETはオン州の抵抗（RDS設計されています（）最小にするように）を、けれどもそれに高性能力管理適用のための理想をする優秀な切換えの性能を維持して下さい。
特徴
低いオン抵抗の
低い入力キャパシタンス
迎合的な全く無鉛及び十分にRoHS （ノート1及び2）
ハロゲンおよびアンチモンは放します。「緑」装置（ノート3）
機械データ
場合:V-DFN5045-12
場合材料:形成されたプラスチック、緑の‖の形成の混合物。94V-0を評価するULの燃焼性の分類
湿気感受性:J-STD-020ごとのレベル1
ターミナル:終わり–銅のLeadframe上のNiPdAu。
MIL-STD-202の方法208ごとのSolderable
重量:0.056grams （おおよそ）
| 部門 | MOSFET MOSFET BVDSS:25V-30V |
|---|---|
| DMHT3006LFJ-13 | |
| トランジスター極性 | Nチャネル |
| チャネルいいえ。 | 4チャネル |
| 漏出源のオン抵抗 | 10のmOhms |
| 働く温度 | -55Cへの+150C |
| Pd力の消滅 | 2.1 W |
| VgsのThゲートの源の境界の電圧 | 30ボルト |
| 形成して下さい | クォード |
FAQ:
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