電源RFトランジスタ

J201 JFET Nチャネルトランジスタ 一般用途 高功率RFトランジスタ 製造者: フェアチャイルド 製品カテゴリー: JFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケース: TO-92 トランジス.........

AD9361BBCZ RF力トランジスター-高い発電の高い信頼性 AD9361BBCZは900のMHzの主義バンドの使用のために設計されている強力な、高性能のN-channel RF力トランジスターである。装置は広いゲートの電圧範囲および優秀な熱安定性を特色にする。それはRFの電力増幅器、細.........

FLM0910-25F RF力トランジスターXバンド内部的に一致させたFET 記述 FLM0910-25Fはmatchedfor 50Ωsystemの最適力そして利益を提供する標準的なコミュニケーション バンド内部的にある力GaAs FETです 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG......

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SEMIKRON SKKT460/22E H4 2300V IGBTモジュール SEMIKRON SKKT460/22E H4は、MOSFETの高入力インピーダンスとバイポーラトランジスタの低導通損失を組み合わせた高性能絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）モジュールであり、要求の厳しい産........

12mm貴金属ブラシDCモーター RF-1230シリーズ 延長ボディ 高性能 - 工場直販 OEM/ODM RF-1230は、直径12mmの貴金属ブラシDCモーターで、延長された30.0mmのボディ長を持ち、短いバリアントと比較してより高い出力が得られます。このモーターは、コンパクトな12mm径の.......

高性能 24V IP65 リン青銅 CAT5 UTP シールドイーサネット RJ45 オス PCB RF 電源ケーブルコネクタ 製品概要 この高性能イーサネットコネクタは、過酷な環境下での信頼性の高いネットワーク接続を必要とする産業用途向けに設計されています。堅牢な構.........

ケイ素 RF 力 電界効果トランジスタ のトランジスター IC 2SD1625 PNP/NPN のエピタキシアル平面 2SD1625 運転者の塗布 PNP/NPN のエピタキシアル平面のケイ素のトランジスター IC 適用 運転者、プリンター.........

MMBTA43LT1G高圧力mosfetのトランジスター、rf力mosfetのトランジスター 高圧トランジスターNPNのケイ素 発注情報 装置順序 数パッケージのタイプ 出荷の† MMBTA42LT1G SOT−23.........

工場供給 100% 新品 PA 28V DC-8.5GHz 12W GaN RFアンプトランジスタ InnotionのYP801241Tは、12ワットのプリマッチド窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）で、高効率、高ゲイン、広帯域の機能を備え、周波数は最大8500MHzまで.........

高い発電RFのコネクターIPEX RFワイヤー関係RFの黒ワイヤーへの1匹の生成SMA - 頻度:DC6GHz - インピーダンス:50オーム - コネクター:U.FL/IPX/IPEX - 取付けに容易 - すべての部品はテストされ、質は郵送物前に制御されます プロダクト細部.........

OEMの高い発電のJfetのトランジスター、Npnのトランジスター アンプ650V 力のJfetのトランジスター特徴 高い入力インピーダンスおよび低レベル ドライブ テストされるなだれエネルギー 改善されたdv/dtの機能、高い険しさ 低いゲート充満 低いRdson.........

ワイヤレス通信モジュール A5G35S004NT6 48V 24.5 dBm 航空速 RF パワー GaN トランジスタ [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度9.........

速い切換えの時間Mosの電界効果トランジスタ、電源スイッチのトランジスター Mosの電界効果トランジスタの記述 Mosの電界効果トランジスタはスイッチとして多くので電源および全権の適用、特に使用されます。変形sは平面のMOSFETs、VMOS、UMOS TrenchMOS、HEXF.........

PIM 110dBc NのコネクターIP65が付いている100W高い発電RFの負荷 1. 100w高い発電RFの負荷は、PIM 110dBcです。良い業績を使って。 2. VSWRはあります 3. IP 65のよい局外者は防水します。 4. 頻度:0-3000G 5. コネクター:.........

FDA50N50高圧Mosfet 48A 500V DMOS AC−DCの電源のトランジスター 記述 UniFET MOSFETはオン・セミコンダクターの平面の縞に基づく高圧MOSFET家族である DMOSの技術。このMOSFETはon−stateの抵抗を減らし、よりよく提供するために合う.........

RIG 高功率 RF レジスタ 1000W 800W 500W 250W 100W フレンジレジスタ 記述: RIG高電源抵抗は,RIG RF抵抗,RF RF抵抗,高周波RF抵抗,フレンズRF抵抗,負荷RF抵抗,RF抵抗および高電源マイクロバンド抵抗とも呼ばれる. 製品の特徴: 1小容量 大容量........