UPS力のための5D20侵入の現在の振幅制限器の抵抗器NTCのサーミスターの抵抗 侵入の現在の振幅制限器のサーミスターの比較優位: 1. 限られるサージ電流の小型、強い力そして強い機能; 2. 速い応答; 3. 小さい大きい材料定数は抵抗に残ります; 4. sercive、高い信頼性の長寿 侵入の現......
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74HCT1G00GV,125 - シングル2入力NANDゲート 74HCT1G00GV,125は、クランプダイオード付きの入力を備えたシングル2入力NANDゲートです。この設計により、電流制限抵抗を使用して、VCCを超える電圧にインターフェイスを接続できます。 主な.........
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RX24 アルミケース抵抗 50w 緑色電流制限老化負荷抵抗 1 ゴールドアルミニウムシェルレジスタ 商品名 商品名 高性能の金型アルミニウムシェル抵抗器 製品説明 製品説明 金のアルミニウムシェル抵抗の表面は,熱消耗溝,小さなサイズ,大きなパワー,高温抵抗,強い過負荷容量,耐候性,高精度,標準的.......
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安全デバイス メルトダウンヒューズ 電流制限型ヒューズ抵抗 RXF21 1WS 3.3R 5% FRKNP 充電器アダプター照明ドライブ用 特性 (1)合金線抵抗器に属する。 (2)優れた不燃性コーティングで、不燃性と絶縁性の安全特性を備えています。 (3)ACおよびDC低電.........
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突発電流制限 MF72 パワー NTC 熱電阻 抵抗ディスク NTC 10D-7 10D7 熱電阻 ポジスター抑制 記述 この製品は,効率的に電源調節器を切り替えるときに生成される急上昇電流を抑制オンになっている. 電子回路がオンになった瞬間に電流の上昇を避けるため,NTC熱電極.........
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0805サイズ 0.2Ω 電流検出抵抗器、LED照明および0.75W電力定格 現代の電子機器において、正確な電流測定は、システムの制御、効率、および保護に不可欠です。 STE00805MW75R200F電流検出抵抗器は、要求の厳しいアプリケーションにおける高性能と信頼性のために設計さ.........
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低いオームの分路抵抗器は別名現在の検出の合金の抵抗器、分路を見本抽出する現在の感知の抵抗器現在の誘導の分路である。試しの抵抗は現在の見本抽出および電圧見本抽出に分けられる。現在の見本抽出のために、より小さい抵抗の価値の抵抗器はより大きい抵抗の価値とシリーズで、が電圧見本抽出のために、抵抗器並行して接......
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iTMOVシリーズ-三加鉛熱的に保護されたバリスターの放射状の鉛の金属酸化物の抵抗器の流れの限界 TMOV®およびiTMOV®の熱的に保護されたバリスターは集積回路の保護の新しい開発を表します。版は両方ともUL1449で輪郭を描かれる条件の場合に異常な過電圧に、限られた流れよる、過熱すること開くよう......
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5v 5mmの白い円形のすくいは水ゆとりのタイプの抵抗器を搭載するダイオードを導きました...
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CSS2H-2512R-L500F SMD CSS2H2512の金属の要素LM393MX/NOPB ADG4612BRUZ-REEL7の現在の感知の抵抗器低いTCR 特徴 EBの溶接金属のストリップ 非常に高い発電 優秀な長期にわたる安定性 低い抵抗、低いTCR 低い熱EMF 自.........
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合金式電流感知レジスタ (ACRシリーズ) 製品紹介 ACRシリーズのスタンプされたサンプリングレジスタは,高伝導性合金材料で作られた高精度電流センサーレジスタです.高電流サンプル採取と電源制御回路用に特別設計されている. このシリーズは,非常に安定した金属合金抵抗要素を使用します. スタンプ構........
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電力トランスフォーマー保護用高電圧電流制限ファイューズ XRNT-3.6KV~40.5kV ELSP 電流制限バックアップシューズ 292mm 主な製品は,高圧電流制限シューズで,電圧は3.6kVから40.5kVまで.高圧電流制限シューズのためのモーターと電圧トランスフォーマーとコン.........
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バックアップ電流制限シューズ 8.3kV 15.5kV 24kV 38kV ELSP 電流制限バックアップファイューズ 一般的 ELSP電流制限バックアップフィューズは,電圧トランスフォーマーを故障電流から保護するために,10kVから40.5kVまでの電圧で50Hzの室内交流システムで使用されま........
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内部的には締め金で止められた、現在の限られたN-Channelの論理のレベル力MOSFET これらのSMARTDISCRETES装置は短絡の保護のための現在の制限、ESDの保護のための必要なゲートに源クランプおよび過電圧の保護のためのゲートに下水管クランプを特色にする。MCUの出力、40の.........
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75mV 100A 電流シャント抵抗、電流検出抵抗 主なテクニカル指標 : 1.Rated 電圧降下スコープ: 75mV、要求に応じて他の値; 2.環境条件:-40~+80℃、Eelative Humidity≤80%(35℃); 3. 温度上昇: 温度上昇の変化は、定格電流で.........
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内部的には締め金で止められた、現在の限られたNチャネルの論理のレベル力MOSFET これらのSMARTDISCRETES装置は短絡の保護のための現在の制限、ESDの保護のための必要なゲートに源クランプおよび過電圧の保護のためのゲートに下水管クランプを特色にします。MCUの出力、40のkΩの.........
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