ixys イグト

穴TO-247HVを通したIXYH30N450HV IGBT PT 4500 V 60 A 430 WIXYS IXYT30N450HV及びIXYH30N450HV XPT™ IGBTsIXYS IXYT30N450HVおよびIXYH30N450HV高圧XPT™ IGBTsの特徴4.5kV最高の........

IXGH24N170IXYS高電圧IGBTIXGH24 IGBT 1700V 50A 250WTO247ADディスクリート半導体製品 仕様：高電圧IGBT NPT 1700 V 50 A 250WスルーホールTO-247AD 部品番号......

製品の説明 IXGH24N170 IXYS高圧IGBT IXGH24IGBT1700V50A250WTO247ADの分離した半導体製品 指定:穴TO-247ADを通した高圧IGBT NPT 1700 V 50 A 250 W 部品番号 I......

IXYSのサイリスタのダイオード モジュールMDD44-16N1Bの高い発電IGBTモジュール 電子部品の分離した半導体モジュール段階の足 特徴/利点 陶磁器DCBが付いているパッケージ 改善された温度および力の循環 平面の不動態化された破片 非常に低く前方電圧低下 非常に.........

IXGH6N170A IGBT パワーモジュール トランジスタ IGBT シングル IXGH6N170Aの仕様 部品のステータス アクティブ IGBTの種類 NPT 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大).........

QYT 製造業者 IXYS 包装 大きさ 部分の状態 活動的 構造 直列接続-すべてのSCRs SCRsのダイオードの数 2台のSCRs...

2SC5200-O電力増幅器の塗布の高い発電mosfetのトランジスター 物品目録 MPC89E58AF 5910 MEGAWIN 16+ PQFP CS4398-CZZR 2234...

IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds 製造者: IXYS 製品カテゴリー: 離散半導体モジュール RoHS について 詳細 製品: パワー MOSFET モジュール テクノロジー そうだ Vgs - ゲート・ソースの.........

IXYSのIXBF40N160は,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!.........

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IXYSのIXGR48N60C3D1は,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!.........

IXFK27N80Q NチャネルMosfet 800V 27A 0.32 Rds力のMOSFETs HiPerFET 記述 HiPerFETTM力のMOSFETs Q-CLASS 単一MOSFETは死ぬ N-Channelの強化モードなだれは、低いQg、高いdV/dtの低いtrr評価した.........

IXYSのIXGH48N60B3は,IGBTモジュールです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたかったり 価格を低くしたい場合はオンラインチャットでご連絡ください!.........

物品目録 MT9V024IA7XTM 2499 15+ BGA MCC21-1408B 4756 IXYS 14+ IGBT CM100DU-24NFH 378 MITSUBI...