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高速スイッチトランジスタ

1 - 20 の結果 高速スイッチトランジスタ から 7995 製品

SOT-23はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターMMBT4403トランジスター(NPN)を 特徴 スイッチング・トランジスタ印が付いていること:2T 最高の評価(通知がなければTa=25℃) 記号 変数.........

Time : May,30,2024
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BAV99 SOT-23の高速スイッチング・ダイオード小さい信号のスイッチング・ダイオード 小さい信号のSOT-23プラスチック パッケージが付いている高速スイッチング・ダイオードBAV99 BAV99 SOT-23 Datasheet.pdf 指定の特徴: 速い切り替え速度 一般目的の転換の適用の......

Time : Sep,11,2023
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表面の台紙のSOD-80パッケージが付いている高速スイッチング・ダイオードLL4150 特徴 1. 速い切り替え速度 2.小さい表面取り付けのタイプ 3. 高い信頼性 4.高い前方現在の機能 5。 一般目的の切換えの適用のため 適用 コンピュータおよび産業適用の高速スイッチそして一般目的の使用 構造 ......

Time : Sep,09,2023
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Ultra-High-Speed切換えのための1SS226スイッチング・ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面 1. 適用 •Ultra-High-Speed切換え 2. 特徴 (1) AEC-Q101は修飾した 特徴 高速切換え.........

Time : Nov,26,2024
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MUR860Gのダイオードの賛否両論を発見しなさいあなたの電子工学のプロジェクトのためのMUR860Gの購入への広範囲ガイド あなたの電子工学のプロジェクトのための信頼でき、有効なダイオードを捜すことか。MUR860Gよりそれ以上に見てはいけない。高速切換えのために設計されている強力な整流器.........

Time : Nov,30,2024
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高い発電の適用のためのIRF8010PBF MOSFET力トランジスター高速切換え プロダクト リスト:IRF 8010 PBF MOSFET 特徴: •100ボルトの下水管源の絶縁破壊電圧 •100ボルトの最高の下水管源の電圧 •500mAの連続的な下水管の流れ(Tc =25ºC).........

Time : Nov,30,2024
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NPNのスイッチング・トランジスタ2N2222;2N2222A 特徴 •高く流れ(最高。800 mA) •低電圧(最高。40 V)。 適用 •線形拡大および切換え。 記述 TO-18金属のパッケージのNPNのスイッチング・トランジスタ。PNPの補足物:2N290.........

Time : May,30,2024
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BAV99速い切り替え速度小さい信号のスイッチング・ダイオードSOT-23はシリーズで二倍になる 記述: BAV99はSMDのパッケージの中のシリーズで接続された2つのダイオードがあることを意味するシリーズSMDダイオードのパッケージの二重である。ダイオードは小さい信号の高速転換.........

Time : Dec,01,2024
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統合回路チップ IGB15N65S5ATMA1 高速切り替える単一のIGBT ディスクリートトランジスタ [MJD利点 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%!! [.........

Time : Dec,07,2024
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MOSFET力トランジスターを転換するIRF640NPBFのすくいTRANS Nチャネル200V 18A記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETの®力MOSFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFE.........

Time : Jun,12,2024
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25A 1200V TO-247 一般型インバーター用の高電源IGBT高速スイッチング Nチャネル強化モード パワー IGBT LGT25N120SB 特徴 • トレンチとフィールドストップ技術 • 高速切換 • コレクターからエミッターへの低飽和電圧 • パラレル切換が簡単 • 短.........

Time : Mar,31,2025
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LL-34ガラスは密封状態で表面の台紙SMDの高速スイッチング・ダイオードLL4148を密封した LL4148 小型MELFのスイッチング・ダイオード 逆電圧-先の100ボルト現在- 0.15アンペア プロダクト輪郭 最高の評価および電気特徴 最高の評価.........

Time : Dec,04,2024
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製品の説明 超高速切換えのための1SS226スイッチング・ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面 1. 適用 •Ultra-High-Speed切換え 2. 特徴 (1) AEC-Q101は修飾した 特徴 高速切換え.........

Time : Dec,09,2024
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製品説明: 高電圧MOSFETは,高電圧アプリケーションのための高効率MOSFETの一種である.高周波操作のために設計され,太陽光インバーター,高電圧DC/DC変換器,モータードライバー,UPS電源,スイッチ電源,充電スタイルなど. 装置は,国家軍事標準の生産ラインに基づいています.信頼性の高い........

Time : Dec,26,2024
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1N4148 1N4148W IN4148WSの高速スイッチング・ダイオードSOD123 1206 SOD323 0805 SOD523 0603 SMDのチップセット 小さい信号の速いスイッチング・ダイオード 機械データ 場合:SOD-323重量:およそ4 mg包装コード/選択:1.........

Time : Nov,23,2024
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1パッケージの2MBI100SC-120 IGBT力モジュール1200V/100A 2 2MBI100SC 120 IGBT力モジュールの1200V/100A高速切換えの電圧ドライブ 1200V / 1パッケージの100A 2 特徴 ·高速切換え ·電圧ドライブ ·低いインダクタンス モジュール構造 ......

Time : Feb,19,2020
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EP5 EPA4493G-LF SMPS 250uHのゲート ドライブ変圧器 特徴: ●ACのための高速転換の変圧器はつないだMOSFETおよびIGBTのゲート ドライブ回路●低い漏出インダクタンス●クラスBの絶縁材システム●転換の頻度:100つのkHzから2つのMHz●実用温度:-40°.........

Time : Nov,29,2024
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VIS-PHD1616網GUIおよびIOS制御概観PHDを用いる高速切換えUHD4Kx2K HDMI 16x16のマトリックスのスイッチャは必要性のあらゆる出力にシリーズHDMIマトリックス専門のスイッチャ圧勝するUHD 4Kx2K HDMI信号にである。それは最も高いピークのデータ転送率を提供し、......

Time : Jun,21,2019
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