違う 違う ポイント. パラメータ 1 モデル 2600~3000mm 高速ジャンボロール切断回転機 1.1 設計速度 850m/min 1.2 生産速度 700~800m/min (ジャンボロールの質に応じて) 1.3 ローラー移動バランス速度 1100 m/min.........
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自動車用 IGBT モジュール F450R07W1H3B11ABOMA1 高速 IGBT モジュール 650V 50A F450R07W1H3B11ABOMA1の概要 高速 TRENCHSTOP™ IGBT3、Rapid 1 ダイオード、PressFIT / NTC.........
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堀のゲート分野停止650 V、60高速HBシリーズIGBT 特徴 •最高の接合部温度:TJ = 175 °C •高速転換シリーズ •最小にされた尾流れ •低い飽和電圧:VCE (坐る) = 1.6ボルト(タイプ。) @ IC = 60 A •堅い変数配分 •安全な平行になること •肯.........
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IXGR40N60C2D1 HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM C2クラスの高速IGBTs IGBTのタイプ PT 電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) 600V 現在-コレクター((最高) IC) 56A 現在-コレクターは脈打ちました(Icm) 200A Vce (......
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強力な電子工学のためのIXGH48N60C3D1に投資しなさいIXGH48N60C3D1の賛否両論 あなたの電子工学のプロジェクトの強力なトランジスターのための市場にあるか。IXGH48N60C3D1よりそれ以上に見てはいけない。この信頼できるNPT IGBTのトランジスターは複数の利点を、.........
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より高速なスイッチング速度 TO-247 パッケージの 650V ~ 1200V パワー IGBT 製品説明: 高速スイッチング速度を備えた高出力 IGBT は、20KHz ~ 60KHz の範囲の周波数のアプリケーションに最適です。この高速なスイッチング速度により、より効率的なモーター制御.........
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工業用高信頼性の設計IGBT装置 製品説明: 高電源IGBTは高電源ゲート双極トランジスタで,高電流密度と高速スイッチ速度のあるアプリケーションに理想的な選択です.それは400A/cm2の電流密度と60KHzのスイッチ速度を持っています高功率双極トランジスタは,OBC,充電パイル,溶接機,スイッ........
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高い-スピード私GBT力モジュールと低いの上-レス距離EP3C5E144I7N 製品名: IGBT パワーモジュール EP3C5E144I7N3 パラメーター: • 電圧範囲: 600V• 定格電流: 30A• 入力電圧: 15V• 出力電圧: 600V• 定格電力: 1.8K.........
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新しく、元の三菱QD62高速の反対モジュール 製品の説明 製造業者 三菱 適用 上限装置の製造業 型式番号 三菱QD62 モデル シリーズ 三菱Qシリーズ 記述.........
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1パッケージの2MBI100SC-120 IGBT力モジュール1200V/100A 2 2MBI100SC 120 IGBT力モジュールの1200V/100A高速切換えの電圧ドライブ 1200V / 1パッケージの100A 2 特徴 ·高速切換え ·電圧ドライブ ·低いインダクタンス モジュール構造 ......
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TJA1042T IGBT力モジュールSOIC 8パッチの高速缶のトランシーバー TJA1042T/1J TJA1042T元の本物パッチSOIC-8の高速缶のトランシーバーの破片はできる高速ICをインターフェイスできる 製品特質 属性値 類似した調査.........
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高速電源MOSFETとIGBTドライバ 3相高圧ゲートドライバ 記述 JY213Hは,3つの独立した高低サイド参照を持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバーです 3相ゲートドライバの出力チャネル. UVLO回路は,VCCとVBSが指定された値を下回るときに不具.........
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JY213Lの3つの独立した出力チャネルが付いている力MOSFETおよびIGBT装置のための高速ゲートの運転者記述JY213Lは力MOSFETおよびIGBT装置のために合う高速3-phaseゲートの運転者である。この高度の運転者は3つの独立した出力チャネルを、特色にし高低の側面は参照し、最適制御を保......
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製品名: デジタル高品質フラットベッドおよびロールツーロールUVハイブリッドプリンターサイン印刷機 機械の動作速度:......
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NCS20074DTBR2G - パワーMOSFETおよびIGBT用の高速デュアルMOSFETドライバ ここのstock.xlsxで情報を見つけてください 序章: NCS20074DTBR2G は、ハーフブリッジ構成で 2 つの N チャネル MOSFET または IGBT を.........
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記述: JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバです.半ブリッジの故障を防止する内蔵デッドタイム保護とショットスルー保護UVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ.600V高電圧プロ........
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IGBT モジュール、380V 3 段階が付いている高速高周波焼入れ機械 速い細部: タイプ: 他 原産地: 中国(本土) 銘柄: Canroon 型式番号: CR2000-080A-14T 電圧: 380V 流れ: 53A 評価される容量: 35KW.........
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高い発電MOSFET FAN3224TU_F085の低側のゲートの運転者、高速二重4-A [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学(香港)のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客のためのサービス、専門にするであり、.........
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