高功率 npn トランジスタ

高功率 500w ライブ放送ソフトライト フラットパネルライト 高色レンダリング ライブ放送撮影に適しています パッケージ: GL 5000C*1pcs,リモコン*1pcs,ディフューザー*1pcs,外部電源*1pcs,使用説明書*1pcs 技術パラメータ: モデル G.........

AOD442G 60V NチャネルMOSFET 概説 AOD444/AOI444コンバインの高度の堀MOSFET提供するべき低い抵抗のパッケージとの技術極端に低いR DS （）。それらの装置は使用のために適していますPWMでは、負荷切換えおよび一般目的の適用。 変数 .........

TIP3055ケイ素NPN力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター 特徴■の低いコレクター エミッターの飽和電圧■補足NPN - PNPのトランジスター 適用■の一般目的■のオーディオ・アンプ 記述装置はエピタキシアル基盤の平面の技術で製造され、線形音声、力および切換え.........

TIP3055ケイ素NPN力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター 特徴■低いcollector-emitterの飽和電圧■補足NPN - PNPのトランジスター 適用■一般目的■オーディオ・アンプ 記述装置はエピタキシアル基盤の平面の技術で製造され、可聴周波の、力の線.........

VOS617A-4T オプチオイソレータートランジスタ出力 3750Vrms 1チャンネル 4-SSOP 製造者: ヴィシェイ 製品カテゴリー: トランジスタ出力オプトカップラー RoHS について 詳細 マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SSOP.........

プロダクト細部 包装管 部分の状態活動的トランジスター タイプPNP現在-コレクター（（最高） IC）16A電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）250VVceの飽和（最高） @ Ib、IC4V @ 3.2A、16A現在-コレクターの締切り（最高）100µADCの現在の利益（hFE） （分） @......

ライン頻度1200V 50AのためのCLA50E1200HBの高い発電MOSFETのトランジスター/サイリスタ 商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的 無鉛/Rohs: 不平 機能: 回路制御.........

製品説明: 高功率 IGBT 高電源隔離ゲート双極トランジスタ (High Power Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) は,搭載充電器,溶接機,電源交換,光伏インバーター,エネルギー貯蔵高電力IGBTは,電流密度400A/cm2とより速いスイッチ........

AD9361BBCZ RF力トランジスター-高い発電の高い信頼性 AD9361BBCZは900のMHzの主義バンドの使用のために設計されている強力な、高性能のN-channel RF力トランジスターである。装置は広いゲートの電圧範囲および優秀な熱安定性を特色にする。それはRFの電力増幅器、細.........

FDPC5018SGの電子部品MOSの変圧器のBomサービス原物の高い発電mosfetのトランジスター プロダクト概観 MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56 Mosfetの配列2のN-Channel （二重）非対称的な30V 17A、32A 1Wの1.1.........

バッテリータブスポット溶接機 高電力 10000A トランジスタ電源 設備の導入 ●NB/パワーツール/ガーデニングツール/ハイパワー/電源ステーションバッテリー/電気モーターサイクル/電気自動車などのモジュール式リチウム電池パックのスポット溶接に適しています.そして,リチウム電池パック生産ライン.......

IRFP460LC力MOSFET -あなたの電子工学の必要性のための高性能解決IRFP460LC力MOSFETの購入の賛否両論 あなたの電子デバイスに動力を与えるために強力のおよび信頼できるトランジスター捜せばIRFP460LC力MOSFETはかもしれないちょうどである必要とするかもの。この.........

製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

TO-92はプラスチック内部に閉じ込めるトランジスター2N5401トランジスター（PNP）を 特徴 高圧のŸの切換えそして拡大 電話のようなŸの適用 Ÿの低い流れ Ÿの高圧 発注情報 部品番号 パッケージ.........

FLM0910-25F RF力トランジスターXバンド内部的に一致させたFET 記述 FLM0910-25Fはmatchedfor 50Ωsystemの最適力そして利益を提供する標準的なコミュニケーション バンド内部的にある力GaAs FETです 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG......

...

...

2SC5200 BJT NPNのトランジスター230V 15A 150W Mosfetの両極トランジスター 電力増幅器の塗布 •高い絶縁破壊電圧:VCEO = 230ボルト（分） •2SA1943に補足 •100-Wハイ ファイのオーディオ・アン.........

2SC2987 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述·TO-3PNのパッケージを使って·2SA1227をタイプする補足物·高い発電の消滅 適用·低周波の電力増幅器の塗布のため ピンで止めること PINの記述 1つの基盤 2Collector;基盤の取付けに接続される 3......

スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........