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1 - 3 の結果 gan on si から 3 製品
8インチのGaN-on-Si エピタキシシ基板 ((110 111 110) MOCVD反応器またはRFエネルギーアプリケーションのために 8インチのガナ-オン-シエピタキシの抽象 8インチのGaN-on-Siエピタキシープロセスは,直径8インチのシリコン (Si) 基板上にガリウムナイトリド.........
Time : May,06,2025
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Si 化合物・ウェーファー,Si ウェーファー,シリコン・ウェーファー,化合物・ウェーファー,Si 基板上の GaN,シリコン・カービッド基板,4インチ,6インチ,8インチ,シリコン (Si) 基板上のガリウムナイトリド (GaN) 層 Si ワッフル上のGaNの特性 製造のために.........
Time : Jun,18,2025
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トランジスターIMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ SiC堀MOSFET TO247のパッケージ 記述 CoolSiC™ 1200ボルト、信頼性と性能を結合するために最大限に活用される最新式の堀の半導体プロセスのTO247-4パッケージの造りの14のmΩ SiC M.........
Time : Apr,21,2025
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