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N-Channel 30-V （D-S） MOSFET 特徴 •ハロゲンなしの利用できる •TrenchFET®高密度GEN IIを使用して超低いオン抵抗 力MOSFETの技術 •Qgは最大限に活用した •低速の熱抵抗のPowerPAK®の新しく低いパッケージ 1.07 mmのプ.........
Time : Jan,05,2026
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を強調します 単一チップ イーサネット物理層のトランシーバー（PHY）の 広範囲のflexPWR®の技術 —適用範囲が広い力管理建築 — LVCMOS可変的な入力/出力 電圧範囲:+1.6Vへの+3.6V —統合された1.2V調整装置の HP自動MDIXサポート ミニチュア2.........
Time : May,30,2024
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