785 nm laser diode

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810nm 808のNmの半導体レーザーの半導体の涼しい破片10，000,000の打撃 特徴 1. 808nmダイオード レーザーの毛の取り外しの永久的な毛の取り外しシステムは最先端の技術を、もっと保証したメカニズムの性能、臨床結果、安全を使用する。808nmダイオード.........

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40ワットの半導体レーザー棒、1064 nmの伝導-包まれたレーザー棒（CW）をLDAシリーズ高い発電の包まれた棒与える、産業、医学ポンプおよび適用にキロワットまで拡張可能な力をOEMの顧客に冷却した。包まれたレーザー棒は積み重ねによる高められた明るさのために最大限に活用されたライトおよび.........

強力なドイツ技術的な808 nm半導体レーザーの毛の取り外し...

1. 名前: CTCP 32 チャネルの製版は機械を製版します 2. 適用: 働かせる印刷プロセスを製版して下さい、 3. 特徴: デジタル プロセス ワークフロー、高精度の点、安価の紫外線（CTcP）版 405 nm の半導体レーザーの自動バランス CTCP Plat.........

976nm-200W 主要特点: 976nm波長 出力電力200W 400μm繊維の棒径 0.22NA ビームを向ける635nm 適用: 科学研究 指定（25℃） 記号......

私達のサービス:経験13年のの専門の製造は、医学の美装置のほとんどの利点の技術を習得します。&専門Rの;Dのチーム、供給OEMの&ODMサービス。保証3年の、寿命の無料サービスおよび維持の最も速い受渡し時間、私達は整理します5仕事日以内の配達を約束します。専門職業的業務のチームは、.........

3W UV ピコ秒パルスファイバーレーザー 製品導入： Gongda Laser は、統合設計とコンパクトな設計を採用し、インテグレーターに迅速かつ低コストの統合をもたらすことができる、超高速ピコ秒紫外線ファイバー レーザーを発売しました。独自のキャビティ設計によ.........

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レーザーのエミッターの半導体レーザーモジュールのためのIRの半導体レーザーの近くの赤外線半導体レーザー785nm 100mWの高い発電の近く プロダクト細部: 型式番号: XLD 785 100m 1 PD/XLD 785 100m 1 PDR タイプ:半導体レーザー 力:100mW.........

製品仕様書 機能変数は脱熱器温度が25度ならという条件で、部品の接触抵抗テストされ、脱熱器は1CM2 K/W.より小さい。 変数 分 タイプ 最高 単位 条件 出力電力 2 - - W .........

405-1064nm ファイバー結合レーザー ダイオード/SM/PM/MM ピグテール レーザー ダイオード 1. ファイバー結合レーザーダイオードモジュール 波長範囲 405 ～ 1064 nm 915/980 nm で最大 4000W の高出力 ファイバーレーザー.........

IRレーザーダイオードモジュール 赤外線 780nm 850nm 980nm 1064nm レーザー距離計 製品説明 AIMLASERは,様々なアプリケーションに合わせたカスタマイズされたレッドドットレーザーモジュールを提供し,紫,紫,青,緑,赤,赤外線 (IR)1mWから200mWまでの.........