4帯抵抗

RIG抵抗 1000w 200ohm RF電源型固定抵抗 商品名: RF radio frequency resistor/High power resistor/Micro -band resistor/High -frequency resistor/RIG resistor/Flange re......

修理された管状のWirewound抵抗器、高い発電、シリコーンは塗った 修理された管状のWirewound抵抗器は多数の蛇口の使用を支え、低いインピーダンスがあり、そしてさまざまな形で広い応用範囲を支えるために製造することができる。 構造: 2台のターミナルとの管状の陶.........

ヴェルクロESDリスト・ストラップの調節可能な反静的なバンド コード1つのMegのオームの抵抗器PUの ESDのわにクリップモデルES0105との安全なヴェルクロ リスト・ストラップ調節可能なバンド 記述: 「それは地上帯電防止装置に安全に使用されて静電放電で起因できるボディの静電気の集結を防ぐため......

電流計の分路/抵抗器のための0.83×3.0mmの平らなワイヤーManganinの平らなワイヤー/バンド ベルト 1.Description Manganinは普通86%の銅、12%のマンガンおよび2%のニッケルの合金の登録商標の名前です。 Manganinホイルおよびワイヤーは抵抗の価値および長期......

定位電源 0.25W 0.5W 0.6W 1W 2W 3W 急速防火 融合型金属フィルムレジスタ 0.1OHM-1KOHM テープまたは散装 適用範囲 この仕様は,AOLITTEL TECHNOLOGY CO.,LTDが製造する融合型金属フィルムレジスタで利用可能で,環境関連物質のR.........

製品パラメータ GRT31CR61H106KE01Lこのレジスタは,インプラント以外の自動車 [インフォテインメント/コンフォート機器],産業機器,医療機器に適しています [GHTF A/B/C]長さ3.2±0.2mm 幅1.6±0.2mm 厚さ1.6±0.2mm 容量10μF ±10% 外部端末.......

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リスト バンド/反静的なリスト・ストラップの紫系統を基づかせているアレルギー性の抵抗ESD 経済の反空電のためのプロダクト細部、ESDのリスト・ストラップ: アレルギー性の抵抗 ボディから空電を排出することでよい 置き、延期すること容易 バナナまたはわにクリップへの10mmのスタッド 、2.0 1......

10ワット 4.3-10 女性 3.8GHz 4GHz RF ダミーロード終了 暖房が良くなる ブロードバンド VSWRが良かった 部分番号 VN-LD-4G-10W-OPf 動作周波数 (GHz) 0から4 阻力 (オム) 50 VSWR ≤120 IM3(dBc.........

DS3800HDDL HMI 人機インターフェイス 印刷回路板 ジェネラル・エレクトリック 製品説明DS3800HDDLは,ゼネラル・エレクトリックが製造したHMIまたは人間機械インターフェースである.DS3800HDDLには,赤,紫,黄色,黒,茶色の帯を持つ45個の淡い青いレジスタンス.........

LM185-2.5/LM285-2.5/LM385-2.5 マイクロパワー電圧参照のダイオード 概説 LM185-2.5/LM285-2.5/LM385-2.5はマイクロパワー2ターミナル バンド ギャップの電圧安定器のダイオードです。20 mAの現在の範囲に20 µA.........

LM185-2.5/LM285-2.5/LM385-2.5マイクロパワー電圧参照のダイオード概説LM185-2.5/LM285-2.5/LM385-2.5はマイクロパワー2ターミナル バンド ギャップの電圧安定器のダイオードである。20 mAの現在の範囲に20 µAに作動して、それらは特別に低い動的......

TO-39 DIP SAWフィルター DSB受信機用 3ピン 100MHz から 1000MHz 周波数帯 安定した性能 低コスト フエウトレス: DSB受信機のためのIFフィルター 周波数帯100MHzから1000MHz TO-39 3ピンパック 連続グループ遅延 統合されたシャント抵抗.........

製品説明 ESD 腕帯 ESD腕帯は,導電性炭素で覆われた内部表面を持つナイロンストラップで構成される. この帯は皮膚に直接接触し ボタンを介して接地線に接続され 静電電荷を体から安全に除去する 静電電荷の経路が作られます各コードは,内蔵された1MΩ使用中の操作者の安全を確保するための安全.........

ALM-1412-TR1Gの半導体の無線集積回路RFの前部分MCOB12 特徴: まさに低雑音図:典型的な0.82 dB 高利得:典型的な13.5のdB 高いIIP3およびIP1dB 例外的なCell/PCSバンド拒絶 高度GaAs E-pHEMTの技術 低く外的な構成計算.........