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2n3904 transistor applications

1 - 20 の結果 2n3904 transistor applications から 104 製品

TO-92 2N3904 NPNのトランジスター集積回路は穴の土台を通って分けます 指定: この装置は一般目的のアンプおよびスイッチとして設計されています。有用なダイナミック レンジはampの終身刑囚としてス.........

Time : Jun,13,2025
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Time : Sep,17,2023
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Mosfet力トランジスターIRFP90N20DPBF 200V 94A 23mOhm 180nCAC MOSFETのトランジスター 適用 •高周波DC-DCのコンバーター •無鉛 記述......

Time : Nov,28,2024
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FQPF4N65C - N-Channel MOSFETのトランジスター有効な力管理導入のための高性能トランジスター FQPF4N65C -力管理適用の高性能そして効率を提供するように設計されている最終的なN-channel MOSFETのトランジスター。この多目的なトランジスターは広い応用.........

Time : Nov,30,2024
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RD06HVF1 RF POWER MOSFET Silicon Transistor 175MHz 6W 増幅器アプリケーション向け RD06HVF1の説明 RD06HVF1 は、VHF RF パワーアンプ アプリケーション向けに特別に設計された MOS FET タイプのトランジスタです。 ......

Time : Nov,03,2023
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BS816A-1 Pチャネル強化モード DMOSトランジスタ RFトランジスタ 製造者: ダイオード 製品カテゴリー: Pチャネル強化 RoHS について 詳細 マウントスタイル: - パッケージ/ケース: 16NSOP パッケージ: スタンダード 単位重量: - オ.........

Time : Apr,20,2025
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ISO9001.pdf IPD075N03LGは,NチャネルMOSFETトランジスタである.このトランジスタの用途,結論,パラメータは以下のとおりである.適用:電源スイッチとDC-DC変換器自動車運転手自動車用電子機器産業自動化制御システム結論は効率的なNチャネルMOSFETトランジスタ低導電抵抗と......

Time : Jun,22,2025
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製品範囲 IPB017N10N5 Infineonの電界効果トランジスタの半導体はMosfetのトランジスターに動力を与える MOSFETのN-channel 600 Vの0.175オームのタイプ18 D2PAKのパッケージのMDmesh DM2力MOSFET Appの特徴 .........

Time : Nov,26,2024
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元の新しいMOSFET NPNのトランジスターPNP SOT-23 (SOT-23-3) LP2301BLT1G プロダクト 記述: 1.MOS (電界効果トランジスタ) /LP2301BLT1Gのダイオードおよび整流器 プロダクト承諾のwithRoHSの条件の2.the自由な材料およびハロゲ.........

Time : Nov,24,2024
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TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P 相補型NPN-PNPトランジスタバイポーラディスクリート半導体製品 相補型パワートランジスタ 説明: デバイスは、「ベースアイランド」レイアウトの平面技術で製造されています。結果として得ら.........

Time : Jun,21,2025
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製品名:におよびSMDのトランジスター装置のためのタイプ パッケージ 適用:家庭電化製品、自動車、船、自動車、パワー エレクトロニクス、等の分野の機械類そして電化製品の自動制御。 製品特性:外のり寸法はJEDEの標準に合い、ガラスか陶磁器の気密の関係は使用される。それは挿入および表面取り付.........

Time : May,13,2025
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製品説明: TFT液晶ディスプレイ (TFT LCD Display) は,薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの一種である.ST7701ドライバーICと15ピンFPCコネクタが搭載されている.ディスプレイのアクティブエリアは53.28 ((w) x53である.視野は53 mm.88 ((w) x5........

Time : Jul,13,2025
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新しい元のIC SAK-XE164FM-72F80LR AB XE164FM72F80LRABKXUMA1 LQFP100の破片の集積回路 私達はちょうど私達に知らせなさいもしこれらの項目のうちのどれかがあなたに興味なら、新しい及び元の項目を提供する。私達は私達の最もよい価格引用するために喜ぶ。あ.......

Time : Nov,28,2024
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IKWH50N65WR6XKSA1 IGBTのトランジスターは家庭電化製品14をインフィニオン・テクノロジーズTRENCHSTOP™ 5は行なうIGBTsを逆転させる逆の行なうIGBTsが全評価される堅い切換えの回転のために普通最大限に活用されるインフィニオン・テクノロジーズTRENCHSTOP........

Time : Nov,25,2024
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10000Aトランジスター二重側面のスポット溶接とカスタマイズされる自動力電池の集まっているラインAC380V 50/60HZ 装置の名前:力のエネルギー蓄積電池のパックの自動生産ライン 指定モデル:BT-2113-18650 I.および機能紹介適用範囲 1. 適用範囲: 自動車バッテリー・モジュー......

Time : Aug,02,2023
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製品説明: ハイパワーIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) は,高電流密度,高速スイッチ速度,高電源容量を持つ高電源ゲートバイポラールトランジスタである.60KHzまで高周波のアプリケーションをサポートするように設計されています高電力IGBTは,高速ス........

Time : Dec,26,2024
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2MLQ-TR2B ハニーウェル 16点トランジスタ出力モジュール 製品説明 について2MLQ-TR2Bはハニーウェルの16点トランジスタ出力モジュールです産業自動化システムで使用するために設計されたものこのモジュールは,プロセス制御アプリケーションの様々なフィールドデバイスを制.........

Time : Feb,13,2025
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SOT-323 3904W /3906W NPNとPNP シリコン 特徴 - このトランジスタは,一般的な用途のアンプアプリケーションのために設計されています. 低出力表面マウント用用に設計されたSOT323/SC70で - Pbフリーパッケージが用意されています. 一般目的のアンプトラ.........

Time : Nov,19,2024
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BCP56-16T1G TRANS NPN 80V 1A SOT223の両極(BJT)トランジスター電子部品 製品の説明 これらのNPNのケイ素のエピタキシアル トランジスターはオーディオ・アンプの塗布の使用のために設計されている。装置は中型力の表面の台紙の塗布のために設計されている.........

Time : Dec,13,2024
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