Sinuo Testing Equipment Co. , Limited

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IEC 61967-2の破片テスト集積回路のギガヘルツの横断電子磁気セル

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IEC 61967-2の破片テスト集積回路のギガヘルツの横断電子磁気セル

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型式番号 :SN6018
原産地 :中国
最小注文数量 :1
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :1ヶ月あたりの5セット
受渡し時間 :30日
包装の細部 :合板の箱
周波数範囲 :DC6GHz
入力インピーダンス :50Ω±5Ω
電圧定在波比 :≤1.75
最高の入力パワー :1000W
最高の電子仕切りの高さ :750mm
±3dB分野の均等性の試験区域 :350のmm X 350のmm
最高の推薦されたEUTの試験区域 :67.5 x 67.5 x 49cm
外の細胞次元 :4.0m x 2.2m x 2.1m
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IEC 61967-2の破片テスト集積回路のギガヘルツの横断電子磁気セル

 

破片テスト集積回路GTEMの細胞のためのプロダクト概観:

 

GTEM (磁気ギガヘルツの横断エレクトロ)のギガヘルツの横断電磁波の細胞は20GHzまで頻度の単一港の閉鎖した導波管である。

電磁適合性テストのためのGTEM (ギガヘルツの横断電磁波)を使用して国際的な電磁適合性の分野で近年開発される新しい測定の技術はある。GTEMの広帯域特徴が原因で(直流からマイクロウェーブへの)および安価(電波暗室の費用の数パーセントだけ)、それは電磁波の感受性テストに使用することができる(EMSテストは時々、免除テストを呼んだ)。それはまた電磁波テスト(EMIテスト)に使用することができ、使用される装置に(電波暗室のテストと比較されて)簡単な構成がある。費用は安く、速く、自動テストに使用することができる従って関連した国内外の人々によって注意をますます支払われた。小さい装置のテストのためのその中で、特に、GTEMの細胞の測定の解決は最もよい性能価格の比率の最もよいテスト解決である。

 

破片テスト集積回路GTEMの細胞のためのテスト標準:

 

GTEMの細胞のGTEMの細胞(磁気ギガヘルツの横断エレクトロ) EMCの標準:

EMIの標準:電気および電子機器(部品)の放射された放出を評価するための共通の基礎を確立しなさい。

集積回路150kHzからの1GHzへの電磁石の放出のIEC 61967-2の測定パート2:放射された放出測定TEMの細胞方法。

EMSの標準:放射された電磁場の干渉に抵抗する電気および電子機器の機能を評価するための共通の基礎を確立するため。

集積回路150kHz~1GHzのパート2の電磁石の免除のIEC 62132-2の測定:TEMおよびGTEMの細胞方法。

IEC 61000-4-20、EN 61000-4-20

IEC 61000-4-3、EN 61000-4-3

IEC 61000-6-3、EN 61000-6-3

IEC 61000-6-4、EN 61000-6-4

ISO 11452-3、SAE J1113-24

 

破片テスト集積回路GTEMの細胞のための構成:

 

GTEMは50Ω同軸ケーブルの空間的な拡張と測定された目的を収容するためにみなすことができる。同軸ケーブルの中心ワイヤーはGTEMの細胞の中心版であるために拡大され同軸ケーブルの外装はGTEMの細胞の貝になされる。GTEMの細胞の中の特性インピーダンスはまだ50Ωであるように設計されている。内部キャビティの端に入力電磁波が広帯域一致の負荷に防ぐためには、コア ボードの端が接続され反映される、波吸収材料はキャビティの端に置かれることを。端に出る電磁波を吸収するため。

中心版に沿う横断電磁波プロパゲート、および発生する電界強度は中心版で適用される電圧に比例している。異なった位置の分野の強さはまた仕切り決まる、より強いに近い方にコア ボード(内部のコンダクターと地面間の間隔)の高さによって分野強さ。

 

破片テスト集積回路GTEMの細胞のための技術的な変数:

 

主要なパフォーマンス インジケータ:

周波数範囲:DC6GHz

入れられたインピーダンス:50Ω±5Ω (典型的な価値:50Ω±2Ω)

電圧定在波比:≤1.75 (典型的な価値:≤1.5)

最高の入力パワー:1000W

外の細胞次元:4.0m x 2.2m x 2.1m (H) L X W X

最高の電子仕切りの高さ:750mm

±3dB分野の均等性の試験区域:350のmm X 350のmm

最高の推薦されたEUTの試験区域:67.5 x 67.5 x 49cm

重量:500kg

 

周波数範囲 80MHz-1000MHz
出力電力 70W
利益 +49dB
タイプ
線形力の利益平坦 最高±3dB
入力/出力のインピーダンス 50ohm
入れられたVSWR 最高の2:1
入力パワー 最高+0dBm
高調波ひずみ H2、H3<-20dbc of="" output="" power="" at="" 1dB="" compression="" point="" limit="">
RFの入力インターフェイス Nタイプ ターミナル女性は(フロント・パネルか背面パネル)、他のインターフェイス カスタマイズすることができる
RFの出力インターフェイス Nタイプ ターミナル女性は(フロント・パネルか背面パネル)、他のインターフェイス カスタマイズすることができる
 
IEC 61967-2の破片テスト集積回路のギガヘルツの横断電子磁気セル
 
IEC 61967-2の破片テスト集積回路のギガヘルツの横断電子磁気セル

 

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