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単一の部屋の産業焼結炉の温度調整モード3地帯
記述:
高真空の炉はsingle-chamber、横および周期的な暖房である。それは熱することに低電圧および大きい現在のグラファイトの発熱体を採用し、多数の加熱部が、各別に単位統制温度をある。全プロセスはコンピュータによって自動的に制御され、監察され、追跡され、そして表示され、そして記録される。
制御システム、暖房装置、真空システム、冷水システム、急速な冷却装置、補助システムおよび安全システムを含んでそれ。
それは絶縁材の管の作り付けのグラファイトはさみ金の構造を採用する。一般に、それは高性能材料の焼結プロセスの温度の均等性そして大気の均等性の厳密な条件を満たす。炉の構造の設計は進められ、適度であり、使いやすく、維持する。
技術的な変数:
| 指定 | RDE-GWL-5518 |
| 有効なスペース（w* h * l） mm | 500*500*1800 |
| Max.Temperature | 1800℃ |
| 最大負荷 | 1500Kg |
| 真空の漏出率:（3時間の冷たく、空、乾燥した部屋の平均） | 3Pa/h |
| 極度な真空 | 3×10-3Pa |
| MAXの働き圧力 | 100KPa |
| 冷却期間（焼結の温度100℃） | 480min |
| 温度調整モード | 3地帯 |
| 機能: | 真空の暖房、熱する流れるガス、急速な冷却。 |
適用: 、陶磁器、非金属のため生命製陶術陶磁器、精密産業製陶術、Sicの炭化物
真空ポンプ:裏付けポンプ、根タイプ ポンプ（スライド弁ポンプ、回転式ベーン・ポンプ、ねじポンプは支持ポンプに等選ぶことができ国際的レベルのブランド プロダクトを選ぶことを顧客を許可する）
電源:一般的な標準は三相五線式システムAC380V±10% 50HZである。
制御電源:単相AC210V-250V 50HZの設計（異なった国および地域はローカル格子標準に従って設計することができる）
温度の測定モード:WRe5-26熱電対
陶磁器炭化ケイ素は新しいおよび摩擦材料の良い業績と。それに放射への軽量、高熱の強度そして強い抵抗の質がある;そして高い自動注油式の低い摩擦係数、高い硬度、耐久性、よい組の性能、高い化学安定性、耐食性、よい熱伝導性、高熱の抵抗の影響の特性を等持っている。80年代以来、主要な国内および外国の機械密封の会社は高いpvの摩擦組の材料および機械密封材料の新しい世代として炭化ケイ素を使用する。
別の製造工程に従って、炭化ケイ素プロダクトの性能はまた異なっている。製造方法に基づいて、それは主にSiCの大気焼結SiCの高温圧縮のSiCを焼結等焼結させる反作用と示される。
反作用はα SiC粉、グラファイトの粉、変化およびつなぎでSiCを構成される焼結させた。
それらを混合し、形成、そしてそれの後で無水ケイ酸の発煙で満ちているるつぼに置かれる。るつぼを真空に置き、1600-1800 ℃.Theのケイ素にα SiCから成っている密な焼結体β SiCおよび自由なケイ素（10に20%）を形作るβ SiCを形作るために反応するるつぼのカーボンと熱しなさい。自由で自由なケイ素の存在が原因で、反応焼結させたSiCの耐食性は強く、強い酸化媒体の得られた腐食減り。
反作用によって焼結させるSiCの利点は最終生成物が小さい収縮および低い投資の大量生産のために適しているよい熱衝撃の抵抗とあることである。最終生成物のために、それは乳鉢ポンプおよびスラリー ポンプで使用されてよりよい効果をもたらす。