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850nmは多モード スイッチをとばす
GEZHI 850nmのバイパス多モード スイッチ、高性能、低い挿入損失および密集した次元のために有名である。それはOADM、OXC、システム・モニタリングおよび保護のための理想的な部品である。密集したパッケージを使うと、850nmバイパス多モード スイッチは高密度光通信システムに統合し易い場合もある。
すべてのGEZHI 850nmのバイパス多モードは1260nm~1650nmですべての波長を転換するかまたは850nm多重モードの波長、超高度の信頼性、低い挿入損失、速く切り替え速度、また二方向の性能を提供する。850nmバイパス多モード スイッチは光学ネットワークのために広く利用されている、保護、送信機および受信機の保護、ネットワークの試験制度および器械使用。
| 特徴 | 適用 |
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850nmの順序情報は多モード スイッチをとばす
GZ-FSW-2x2BA-X-XX-X-X-X-XX-X-XX
| モード | 波長 | 電圧タイプ | 制御モデル | 繊維のタイプ | 繊維の直径 | 繊維の長さ | コネクター |
| S=SM M=MM | 85=850nm 13=1310nm 15=1550nm 13/15=1310/1550nm X=Others | 3=3V 5=5V | L=Latching N=Non-の掛け金を降ろすこと | 5=50/125 6=62.5/125 9=9/125 X=Others | 25=250um 90=900um 20=2.0mm 30=3.0mm X=Others | 1=1m 2=1.5m X=Others | 0=None
|
850nmの指定は多モード スイッチをとばす
| 変数 | GZ-FSW-2×2BA | ||
| 波長範囲 | nm | 850±40/1300±40 | 1260~1650 |
| 作動のavelength | nm | 850/1300 | 1310/1490/1550/1625/1650 |
| 挿入損失 | dB | タイプ:0.8最高:1.2 | タイプ:0.7最高:1.0 |
| リターン・ロス | dB | MM≥30 SM≥50 | |
| 混線 | dB | MM≥35 SM≥55 | |
| PDL | dB | ≤0.05 | |
| WDL | dB | ≤0.25 | |
| TDL | dB | ≤0.25 | |
| 反復性 | dB | ≤±0.02 | |
| 電源 | v | 3.0か5.0 | |
| 寿命 | 時 | ≥107 | |
| スイッチ時間 | 氏 | ≤8 | |
| 伝達力 | MW | ≤500 | |
| 実用温度 | ℃ | -20~+70 | |
| 保管温度 | ℃ | -40~+85 | |
| 重量 | g | 16 | |
| 次元 | mm | （L） 55.0× （W） 30.0× （H） 12.8カスタム化は利用できる。 | |
| タイプ | 国家 | 光学ルート | 電気ドライブ | 状態センサー | |
| 2×2BA | Pin 1 | Pin 2 | Pin 3-4 | ||
| 非掛け金を降ろすこと | P1-P3 | -- | -- | 終わり | |
| B | P1-P4、P2-P3 | V+ | GND | 開けなさい | |
| タイプ | 国家 | 光学ルート | 電気ドライブ | |||
| 2×2BA | Pin 1 | Pin 2 | Pin 3 | Pin 4 | ||
| 掛け金を降ろすこと | P1-P3 | V+ | GND | -- | -- | |
| B | P1-P4、P2-P3 | -- | -- | GND | V+ | |
850nmの光学ルートは多モード スイッチをとばす
| 状態A | 状態B |
 | |
850nmの次元は多モード スイッチをとばす