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IRS21834STRPBFの半導体ICの破片4A H橋50V 10MHz SOIC-8パッケージ
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IRS21834STRPBF –半導体ICの破片
IRS21834STRPBFは高側の高側の負荷スイッチ塗布の力のMOSFETsを運転するように設計されているN-channel MOSFETの運転者ICである。それは低電圧CMOSの多用性がある論理の入力、広い作動の電圧範囲および極端に低い動作電流を特色にする。ICは200Vおよび1.3AまでN-channelのMOSFETsを運転するように設計されている。
特徴:
•低電圧CMOSの多用性がある論理の入力
•広い作動の電圧範囲（2.5Vへの18V）
•低い動作電流（典型的な10nA）
•200Vおよび1.3AまでのドライブN-channelのMOSFETs
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