Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IR2010STRPBF 最適効率および信頼性のための半導体ICの破片の高性能の半導体ICの破片

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IR2010STRPBF 最適効率および信頼性のための半導体ICの破片の高性能の半導体ICの破片

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型式番号 :IR2010STRPBF
原産地 :Mulit起源
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1-7days
包装の細部 :標準
部門 :集積回路(IC)
基礎プロダクト数 :IR2010STRPBF
運転者の数 :2
ゲートのタイプ :IGBT、N-Channel MOSFET
電圧-供給 :10V | 20V
最高高い側面の電圧- (ブートストラップ) :200ボルト
上昇/落下の時間(タイプ) :10ns、15ns
パッケージ/場合 :16-SOIC (0.295"、7.50mmの幅)
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記述:ドライブ構成:高側の負荷タイプ:MOSFET;IGBT

 

電源電圧:10V~20Vピーク電流:500mA

 

流れを引っ張るピーク:250mA 600Vの単一チャネルドライブIC、

 

ドア ドライブ供給電圧の範囲:10Vへの20V

 

働く温度- 40 ℃~+150 ℃ @ (Tj)

IR2010STRPBF   最適効率および信頼性のための半導体ICの破片の高性能の半導体ICの破片

 

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