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取付けることIKD 04N60RF IGBT力モジュールの高性能の低損失の容易
IKD04N60RF IGBT力モジュール
IKD04N60RF IGBT力モジュールは広い応用範囲のために適した最大限に活用された、高性能力モジュールである。モジュールはそれを高い発電のレベルおよび高性能を要求する適用にとって理想的にさせる強いデュアル・チャネル設計および統合された運転者を特色にする。
特徴:
•強いデュアル・チャネル設計の低損失、強力なモジュール
•調節可能な現在の限界および作り付けの保護の統合された運転者
•高性能力転換
•広実用温度の範囲-40°Cへの+150°C
•低いEMIおよびEMCの放射
•高速切換え
•広範囲パッケージの選択
•高いサージ電流の機能
技術仕様:
•評価される電圧（UCE）:600V
•Collector-emitter電圧（VCE）:600V
•コレクター流れ（最高IC）:4A
•ゲート エミッターの電圧（VGE）:±20V
•Collector-emitterの飽和電圧（VCEsat）:1.7V
•全体の電力損失（Ptot）:40W
•動作周波数:300kHz
•転換の時間（tR
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