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EP4CE10F17I7Nプログラム可能なICの破片
システム内プログラム可能なゲート・アレー（FPGA） IC 179 423936 10320パッケージ256-LBGA

実験室/CLBsの数	645
論理素子/細胞の数	10320
総RAMビット	423936
入力/出力の数	179
電圧-供給	1.15V \| 1.25V
タイプの取付け	表面の台紙
実用温度	-40°C \| 100°C （TJ）
パッケージ/場合	256-LBGA
製造者装置パッケージ	256-FBGA （17x17）
基礎プロダクト数	EP4CE10

EP4CE10F17I7Nのパワー消費量
設計のための力を推定するのに次の方法を使用しなさい:
■ExcelベースのEPE
■QuartusのII PowerPlay力の検光子の特徴
相互ExcelベースのEPEはaを得るように装置を設計する前に使用される
装置力の大きさの見積もり。Quartus II PowerPlay力の検光子
設計の細目に後基づいて良質の見積もりを提供する
場所およびルートは完全である。PowerPlay力の検光子は組合せを適用できる
ユーザー入られ、シミュレーション得られ、そして推定信号の活動の、結合されること
詳しい回路モデルを使うと、非常に正確な力の見積もりをもたらすことができる。
転換の特徴
このセクションはサイクロンIVの中心および周囲のパフォーマンス特性を提供する
商業用等級装置のためのブロック。
これらの特徴は予備か最終的ように示すことができる。
■予備の特徴はシミュレーションの結果、プロセスデータを使用して、作成される
他の知られていた変数。これらのテーブルのupper-right手のコーナーは示す
「予備」指定。
■最終番号は実際のケイ素の性格描写およびテストに基づいている。
数は最悪の場合のケイ素の下に装置の実際のパフォーマンスを反映する
プロセス、電圧および接合部温度の状態。

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ICの破片のシステム内プログラム可能なゲート・アレー（FPGA） 256-LBGAをプログラムするEP4CE10F17I7N

ICの破片のシステム内プログラム可能なゲート・アレー（FPGA） 256-LBGAをプログラムするEP4CE10F17I7N

プログラム可能なICの破片

集積回路ICの破片

MCUのマイクロ制御回路単位

電子部品ICの破片

フラッシュ・メモリの破片

MOSFETのパワーエレクトロニクス

IGBT力モジュール

ICのダイオードのトランジスター

ICの破片のシステム内プログラム可能なゲート・アレー（FPGA） 256-LBGAをプログラムするEP4CE10F17I7N

fpga chip

fpga sram

fpga dev board

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