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実験室/CLBsの数
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1920年
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論理素子/細胞の数
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17280
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総RAMビット
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442368
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入力/出力の数
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333
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ゲートの数
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1000000
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電圧-供給
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1.14V | 1.26V
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タイプの取付け
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実用温度
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-40°C | 100°C （TJ）
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パッケージ/場合
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製造者装置パッケージ
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456-FBGA （23x23）
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基礎プロダクト数
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XC3S1000-4FGG456Iは特色になる
•大量のための低価格の、高性能論理の解決、
消費者志向の適用
•密度74,880個までの論理の細胞
•SelectIO™インターフェイス シグナリング
•633までの入力/出力ピン
•入力/出力ごとの622+ Mb/sのデータ転送率
•18の片端接地信号の標準
•LVDS、RSDSを含む8つの差動入力/出力の標準
•ディジタル式のインピーダンスによる終了
•1.14Vから3.465Vまで及ぶ信号の振動
•二重データ転送速度（DDR）サポート
•DDRのDDR2 SDRAMサポート333までMb/s
•論理資源
•シフト レジスタの機能の豊富な論理の細胞
•広く、速い多重交換装置
•速い先読みは論理を運ぶ
•専用されていた18 x 18の乗数
•IEEE 1149.1/1532と互換性があるJTAGの論理
•SelectRAM™の階層的な記憶
•総ブロックのRAMの1,872までKbits
•総分散RAMの520までKbits
•デジタル時計のマネージャー（4までDCMs）
•時計の斜めの除去
•頻度統合
•高リゾリューション段階の転移
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