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10M04SCE144C8Gプログラム可能なICの破片
システム内プログラム可能なゲート・アレー（FPGA） IC 101 193536 4000パッケージ144-LQFP
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実験室/CLBsの数
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250
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論理素子/細胞の数
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4000
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総RAMビット
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193536
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入力/出力の数
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101
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電圧-供給
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2.85V | 3.465V
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タイプの取付け
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実用温度
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0°C | 85°C （TJ）
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パッケージ/場合
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製造者装置パッケージ
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144-EQFP （20x20）
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Intel Stratix 10のTX装置
単一のパッケージのトランシーバーの帯域幅の8つ以上Tbps渡すことに加えて、
Intel Stratixは10のTX装置1つまでのGHzの中心の生地の性能を提供し、含んでいる
単一生地の2.8百万LEsに。それらはまた144まで一般目的を特色にする
別のトランシーバーのタイルのトランシーバー、および2666 Mbps DDR4の外的な記憶
インターフェイス性能。デュアル モードのトランシーバーはデータ転送速度が可能であるまで
57.8短到達距離およびバックプレーンの運転両方のためのGbps PAM4/28.9 Gbps NRZ
適用。選り抜き装置は基づいて埋め込まれた堅いプロセッサ システム（HPS）を含んでいる
クロック レートで動くまで適用クラスのクォード中心64のかまれた腕の皮質A53
1.5 GHz。
これらの装置は最も高いトランシーバーを要求するFPGAの適用のために最大限に活用される
出力効率の帯域幅および最も高い中心の生地の性能、の
Intelの14 nmの三ゲートの加工技術。
1. Intel® Stratix® 10 TX装置概観
683717|2022.08.18
Intel® Stratix® 10 TX装置概観はフィードバックを送る
高性能単一FPGAの生地はIntel新しいHyperflexの中心に基づいている
中付加的な超記録をどこでも含んでいる建築
すべての機能ブロックの入力の結合の旅程および。また中心の生地
Intelの適応性がある論理モジュール（ALM）およびaを利用する高められた論理配列を含んでいる
高性能のブロックの豊富なセットを含む:
•eSRAM （47.25 Mbit）の埋め込まれたメモリ ブロック（選り抜き装置で利用できる）
•M20Kの（20 Kb）埋め込まれたメモリ ブロック
•IEEEが付いている可変精度DSPのブロック754迎合的で堅い浮動小数点
•僅かの統合および整数PLLs
•外的な記憶インターフェイスのための堅い記憶コントローラーそしてPHY
•一般目的IOの細胞
