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MT53E2G32D4のNQ-046重量:Cのフラッシュ・メモリは200-VFBGAパッケージの高速データ記憶の低い電力の消費を欠く
| 記憶タイプ | 揮発 | |
| 記憶フォーマット | ||
| 技術 | SDRAM -移動式LPDDR4 | |
| 記憶容量 | ||
| 記憶構成 | 2G X 32 | |
| 記憶インターフェイス | - | |
| クロック周波数 | 2.133 GHz | |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - | |
| 電圧-供給 | 1.1V | |
| 実用温度 | -30°C | 85°C （TC） | |
| タイプの取付け | ||
| パッケージ/場合 | ||
| 製造者装置パッケージ | 200-VFBGA （10x14.5） |
プロダクト リスト:
ミクロンMT53E2G32D4NQ-046の重量:Cのフラッシュ・メモリの破片、200-VFBGAパッケージ
プロダクト変数:
記憶容量:32GB
記憶タイプ:否定論履積のフラッシュ
操作の電圧:1.8V
インターフェイス:否定論履積のフラッシュ
パッケージ:200-VFBGA
製造業者:ミクロン
