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S29GL128S10TFI010フラッシュ・メモリは56-TFSOPパッケージの特徴Aを書く緩衝を欠く
| 記憶タイプ | 不揮発性 | |
| 記憶フォーマット | ||
| 技術 | フラッシュ- | |
| 記憶容量 | ||
| 記憶構成 | 8M x 16 | |
| 記憶インターフェイス | 平行 | |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 60ns | |
| アクセス時間 | 100 ns | |
| 電圧-供給 | 2.7V | 3.6V | |
| 実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
| タイプの取付け | ||
| パッケージ/場合 | ||
| 製造者装置パッケージ | 56-TSOP |
概説
S29GL01G/512/256/128Sは65 nm加工技術で製造されるMIRRORBIT™食の抜け目がないプロダクトである。これらの装置は90 nsとして速くとして対応するランダム・アクセス時間との15 ns速いページのアクセス時間を速く提供する。それらは標準的なプログラミングのアルゴリズムより速く有効なプログラミングの時間に終って書く最大256のwords/512バイトが1つの操作でプログラムされるようにする緩衝を特色にする。これはこれらの装置を高密度、よりよい性能およびより低い要求する今日の埋め込まれた適用にとって理想的にさせる
パワー消費量。
特有な特徴
•多目的な入力/出力とのCMOS 3.0 Vの中心
•65 nm MIRRORBIT™食の技術
•読書/プログラム/消去（3.6 V）のための単一の供給（VCC）への2.7ボルト
•多目的な入力/出力の特徴
- 広い入力/出力の電圧範囲（VIO）:1.65 VCCへのV
•×16データ・バス
•非同期32バイトのページは読んだ
•512バイトのプログラミングの緩衝
- 、最大512バイトまでページの倍数でプログラムする
•同じ単語の選択の単語そして多数プログラム
•自動エラー チェックおよび訂正（ECC） –シングル・ビットのエラー修正を用いる内部ハードウェアECC
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