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CY7C1021DV33-10ZSXIのフラッシュ・メモリは44-TSOPパッケージ1Mbitの空電RAMを欠く
| 記憶タイプ | 揮発 | |
| 記憶フォーマット | ||
| 技術 | SRAM -非同期 | |
| 記憶容量 | ||
| 記憶構成 | 64K X 16 | |
| 記憶インターフェイス | 平行 | |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 10ns | |
| アクセス時間 | 10 ns | |
| 電圧-供給 | 3V | 3.6V | |
| 実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
| タイプの取付け | ||
| パッケージ/場合 | ||
| 製造者装置パッケージ | 44-TSOP II |
特徴
■温度較差
産業❐:– 40 °Cへの85 °C
自動車❐:– 40 °Cへの85 °C
■PinおよびCY7C1021CV33と機能互換性がある
■高速
❐のtAA = 10 ns
■低いアクティブな電源
❐ ICC = 60 mA @ 10 ns
■低いCMOSの予備発電
❐ ISB2 = 3 mA
■2.0 Vデータ保持
■選択解除された場合自動パワー
■最適速度/力のためのCMOS
■上部および下のビットの独立制御
■Pbなしの44ピン400ミルで利用できる広くSOJの44ピンを形成した
TSOP IIおよび48ボールVFBGAのパッケージ
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