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データおよびプログラム貯蔵のためのW25Q512JVFIQ 16の- SOICのフラッシュ・メモリの破片-高性能の記憶
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記憶フォーマット
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技術
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フラッシュ-
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記憶容量
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記憶構成
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64M x 8
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記憶インターフェイス
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SPI -クォード入力/出力
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クロック周波数
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133のMHz
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周期にタイムの単語、ページを書きなさい
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電圧-供給
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2.7V | 3.6V
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実用温度
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-40°C | 85°C （TA）
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タイプの取付け
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パッケージ/場合
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製造者装置パッケージ
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16-SOIC
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プロダクト リスト:
W25Q512JVFIQのフラッシュ・メモリの破片
製造業者:Winbond
パッケージ:16-SOIC
特徴:
- 512Mかまれた記録密度
- 4KBytes均一セクターの建築
- 入力/出力操作は二倍になり、/クォード、SPIそしてクォード
- 高性能のクロック レート
- 二重出力、二重入力/出力およびクォード入力/出力
- 3.6V作動の電圧への1.8V
- 85°C実用温度範囲への-40°C
- 低い電力の消費
- 最高は25 MB/sの速度を書く
- 持久力:10,000/消去周期は書く
