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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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W631GG6KB-12高容量のフラッシュ・メモリはあなたの貯蔵の必要性のための完全欠く

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型式番号 :W631GG6KB-12

原産地 :元

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :999999

受渡し時間 :1～3日

包装の細部 :標準

Mfr :Winbondの電子工学

記憶タイプ :揮発

記憶フォーマット :ドラム

技術 :SDRAM - DDR3

記憶容量 :1Gbit

記憶構成 :64M x 16

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製品の説明を表示

W631GG6KB-12高容量のフラッシュ・メモリはあなたの貯蔵の必要性のための完全欠く

 
製品の説明:
これはW631GG6KB-12フラッシュ・メモリの破片である。それは収蔵可能量の512Mbitsまでのローパワーの、高性能設計を特色にする。この破片は+85°C.に1.2Vの速度および-40の実用温度範囲を書くことを持っている。それは産業オートメーション、自動車、家電のようないろいろな適用の使用にとって理想的、およびもっとである。
 
プロダクト変数:
•容量:512Mbits
•電圧:1.2V
•実用温度:-40 +85°Cに
•インターフェイス:連続周辺機器インターフェイス（SPI）
•パッケージ:8ピンSOIC

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W631GG6KB-12高容量のフラッシュ・メモリはあなたの貯蔵の必要性のための完全欠く

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