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AS4C512M16D3L-12BCNのフラッシュ・メモリの破片-データ記憶および処理のための高性能の記憶
リスト:プロダクト:AS4C512M16D3L-12BCNのフラッシュ・メモリは記述を欠く:AS4C512M16D3L-12BCNのフラッシュ・メモリの破片は不揮発性状態でデータを貯えるように設計されている。これらの破片は512Mx16として組織され、2.7Vに3.6Vの供給電圧と作動する。それらは55nsの速い読み取りアクセスのひとときを過ごし、aは200usのライト・アクセスの時間を。破片は100,000までが可能書く/周期を消し、16ビットのデータ出力を提供するためにである。
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