Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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AS4C512M16D3L-12BCNのフラッシュ・メモリの破片-データ記憶および処理のための高性能の記憶

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AS4C512M16D3L-12BCNのフラッシュ・メモリの破片-データ記憶および処理のための高性能の記憶

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型式番号 :AS4C512M16D3L-12BCN
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1-3日
包装の細部 :標準
記憶容量 :8ギガビット
記憶構成 :512M×16
記憶インターフェイス :平行
クロック周波数 :800MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :15ns
アクセス時間 :13.75 ns
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AS4C512M16D3L-12BCNのフラッシュ・メモリの破片-データ記憶および処理のための高性能の記憶

 

 

リスト:プロダクト:AS4C512M16D3L-12BCNのフラッシュ・メモリは記述を欠く:AS4C512M16D3L-12BCNのフラッシュ・メモリの破片は不揮発性状態でデータを貯えるように設計されている。これらの破片は512Mx16として組織され、2.7Vに3.6Vの供給電圧と作動する。それらは55nsの速い読み取りアクセスのひとときを過ごし、aは200usのライト・アクセスの時間を。破片は100,000までが可能書く/周期を消し、16ビットのデータ出力を提供するためにである。

 

 

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AS4C512M16D3L-12BCNのフラッシュ・メモリの破片-データ記憶および処理のための高性能の記憶

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