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ICのダイオードのトランジスター

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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低い電力SRAMの記憶貯蔵の解決のためのCY62137FV30LL-55ZSXE ICの破片

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モデル番号 :CY62137FV30LL-55ZSXE

原産地 :元

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :999999

受渡し時間 :1 - 3日

包装の細部 :標準

プロダクト状態 :活動的

記憶タイプ :揮発

記憶フォーマット :SRAM

技術 :SRAM -非同期

記憶容量 :2Mbit

記憶構成 :128K X 8

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低い電力SRAMの記憶貯蔵の解決のためのCY 62137 FV 30LL-55ZSXE ICの破片

 
製品の説明:
 
 
CY62137FV30LL-55ZSXEはCypressの半導体によって設計されている集積回路の破片である。1.8V作動の電圧および3Vデータ保持の電圧を特色にするのはローパワーの、高性能静的なRAMメモリ（SRAM）である。それはローパワー待機モードの4Mbおよび8Mb密度で利用できる。133までのMHzの高速データ転送速度を提供することを設計し、非同期および同期バースト方式を支える。
 
プロダクト変数:
 
•パッケージ:TSOP-55
•記録密度:4Mb/8Mb
•作動の電圧:1.8 V
•データ保持の電圧:3ボルト
•最高のクロック周波数:133のMHz
•非同期/同期バースト方式
•ローパワー待機モード
 

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