Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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S29AS016J70BFI040 ICの破片の高速高容量の記憶貯蔵の最適化されたパフォーマンス

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S29AS016J70BFI040 ICの破片の高速高容量の記憶貯蔵の最適化されたパフォーマンス

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型式番号 :S29AS016J70BFI040
原産地 :原物
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1 - 3日
包装の細部 :標準
プロダクト状態 :活動的
記憶タイプ :不揮発性
記憶フォーマット :抜け目がない
技術 :フラッシュ-
記憶容量 :16Mbit
記憶構成 :2M x 8、1M x 16
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S29AS016J70BFI 040 ICの破片の高速の高容量の記憶貯蔵の最適化されたパフォーマンス

 

 

 

プロダクト リスト:

 

 

S29AS016J70BFI040集積回路ICの破片

 

 

記述:

 

 

この集積回路ICの破片はS29AS016J70BFI040シリーズからある。それは記憶貯蔵の適用の使用のために設計され、フラッシュ・メモリの貯蔵の16メガビットを提供する。それに4ビットによって多重型にされる住所/データ・バスがあり、任意読書およびページ プログラミング操作を行うことができる。それはまた70nsアクセス時間を過し、単一3.3V電源を作動させる。

 

 

変数:


•記憶タイプ:抜け目がない
•記憶容量:16メガビット
•インターフェイス:4ビットによって多重型にされる住所/データ・バス
•アクセス時間:70ns
•作動の電圧:3.3V

 

 

 

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