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3 年
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S29GL512T11FHIV 10の集積回路ICの破片
産業適用を処理する高速データ記憶
製品の説明:
S29GL512T11FHIV10は512Mb （64M x 8） CMOS 3.0Vだけ単一力のフラッシュ・メモリ装置である。装置は8ビットによって64Mのワードとして組織される。装置は25ns速いアクセス時間を提供し、高性能のためのバースト方式を特色にする。S29GL512T11FHIV10は高性能および低い電力の消費を提供する最も最近のCMOSの加工技術を使用して製造される。
変数:
•容量:512Mb （64M x 8）
•作動の電圧:3.0V
•アクセス時間:25ns
•バースト方式:はい
•パワー消費量:低速
•加工技術:CMOS
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