Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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MOSFET トランジスタ FDMS86350 高性能 N チャネル MOSFET

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MOSFET トランジスタ FDMS86350 高性能 N チャネル MOSFET

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型式番号 :NVMFS5C670NWFT1G
原産地 :複数の起源
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1-7days
包装の細部 :標準
製品タイプ :MOSFETのパワー エレクトロニクス
製造業者 :onsemi
製造業者プロダクト数 :NVMFS5C670NWFT1G
記述 :MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
製造業者の標準的な調達期間 :1-7days
詳細な説明 :N-Channel 60 V 17A (Ta)、71A (Tc) 3.6W (Ta)、61W (Tc)表面の台紙5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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FDMS86350 - N チャネル車載 MOSFET

FDMS86350 は、車載アプリケーション向けに設計された N チャネル Power Trench® MOSFET です。高電流能力と低いオン抵抗を提供します。車載用DC-DCコンバータ、負荷スイッチ、突入電流リミッタなどのスイッチングアプリケーションで使用するために設計されています。

特徴:


- 低いオン抵抗
- 低いゲート電荷
- サーマルシャットダウン保護
- 自動車認定済み
- AEC-Q101 認定済み
- ESDおよびラッチアップ保護

仕様:


- 電圧: -20V
- ドレイン電流: 25A (TC=25°C)
- 消費電力: 83W
- RDS(オン): 0.7mΩ
- 動作温度: -55°C ~ +150°C
- 取り付けタイプ: 表面実装

製品の状態
アクティブ
FETタイプ
テクノロジー
MOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
7ミリオーム @ 11A、10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 53μA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
14.4nC @ 10V
Vgs (最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1035 pF @ 30 V
FETの特徴
-
消費電力(最大)
3.6W(Ta)、61W(Tc)
動作温度
-55℃~175℃(TJ)
取付タイプ
サプライヤーデバイスパッケージ
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ・ケース
基本製品番号

当社から購入する理由 >>>早い・安全・便利


• SKL は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
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• 電子メールでお問い合わせいただき、輸送先をお知らせください。
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• 世界中へのフォワーダー発送、DHL、TNT、UPS、FEDEXなどの購入者は発送の問題を心配する必要はありません
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