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IRFB4127PBF、MOSFET パワー エレクトロニクス
これは、幅広いアプリケーションで使用できるように設計された高度な高性能パワー MOSFET です。このデバイスは、低いオン抵抗、大電流処理能力、および高周波スイッチング能力を備えています。さらに、このデバイスには保護ダイオードが統合されており、ドレイン-ソース電圧定格が拡張されています。
特徴：
- 低いオン抵抗
- 大電流処理能力
- 高周波スイッチング機能
- ドレイン・ソース間電圧定格の拡張
- 保護ダイオードを内蔵
- RoHS対応
仕様:
- ドレイン・ソース間電圧: 100V
- ドレイン-ゲート電圧: 100V
- ゲート・ソース間電圧: ±20V
- 連続ドレイン電流: 24A
- パルスドレイン電流: 68A
- RDS(ON): 19mΩ
- パッケージ：TO-220AB
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製品の状態
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アクティブ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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20ミリオーム @ 44A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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5V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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150nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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5380 pF @ 50 V
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FETの特徴
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消費電力(最大)
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375W(Tc)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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TO-220AB
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パッケージ・ケース
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基本製品番号
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