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InfineonからのIRF2804STRL7PP力MOSFETは高い現在の負荷を運転することができる高圧、超低いゲート充満MOSFETである。それは運動制御、電源および太陽インバーターのような適用のために設計されている。
特徴:
- 超低いゲート充満（Qg）
- 低い下水管源のオン州の抵抗（RDS （））
- 高いなだれエネルギー機能
- 高い現在の機能
- 高圧機能:100V
- TO-220ABのパッケージ
指定:
- 部品番号:IRF2804STRL7PP
- 下水管源の電圧:100V
- 流れ（ID）を流出させなさい:35A
- ゲート源の電圧（VGS）:±20V
- 最高の電力損失（PD）:106W
- 最高の下水管源のオン州の抵抗（RDS （））:0.068Ω
- 最高のゲートの境界の電圧（VGS （Th））:2.0V
- 最高使用可能温度:150°C
- タイプの取付け:穴を通して
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プロダクト状態
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活動的
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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1.6mOhm @ 160A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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260 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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6930 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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電力損失（最高）
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330W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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D2PAK （7鉛）
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パッケージ/場合
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基礎プロダクト数
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