Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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パワー エレクトロニクスの MOSFET IRLMS1503TRPBF 高電圧大電流 N チャネル MOSFET

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パワー エレクトロニクスの MOSFET IRLMS1503TRPBF 高電圧大電流 N チャネル MOSFET

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型式番号 :IRLMS1503TRPBF
原産地 :複数の起源
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1-7days
包装の細部 :標準
製品タイプ :MOSFETのパワー エレクトロニクス
製造業者 :インフィニオン・テクノロジーズ
製造業者プロダクト数 :IRLMS1503TRPBF
記述 :MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
製造業者の標準的な調達期間 :1-7days
詳細な説明 :N-Channel 30 V 3.2A (Ta)の1.7W (Ta)表面の台紙Micro6™ (TSOP-6)
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IRLMS1503TRPBF MOSFET パワー エレクトロニクス

IRLMS1503TRPBF は、Infineon Technologies の MOSFET パワー エレクトロニクス デバイスです。これは、ローサイド スイッチング、汎用スイッチング、電源スイッチングなどの幅広いアプリケーションでの使用に適した N チャネル エンハンスメント モード MOSFET です。

特徴:


- NチャネルエンハンスメントモードMOSFET
- 低いオン抵抗
- 低いゲート電荷
- 低い入出力容量
- 低い閾値電圧
- 大電流能力
- 鉛フリーおよびRoHS準拠
- 鉛フリー (RoHS 準拠)

パッケージタイプ: TO-252 (DPAK)

VDS: 30V

ID:15A

RDS(ON): 0.045Ω @ VGS=10V

Qg: 8nC

VGS(th): 2V

シス:480pF

コス: 290pF

製品ステータス
アクティブ
FETタイプ
テクノロジー
MOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V、10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
100ミリオーム @ 2.2A、10V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250μA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
9.6nC @ 10V
Vgs (最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
210 pF @ 25 V
FETの特徴
-
消費電力(最大)
1.7W(Ta)
動作温度
-55℃~150℃(TJ)
取付タイプ
サプライヤーデバイスパッケージ
マイクロ6™(TSOP-6)
パッケージ・ケース
基本製品番号

当社から購入する理由 >>>早い・安全・便利


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