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FETのタイプ
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技術
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MOSFET (金属酸化物)
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流出させなさいに源の電圧(Vdss)
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現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
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ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
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4.5V、10V
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(最高) @ ID、VgsのRds
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14.4mOhm @ 9.5A、10V
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Vgs ((最高) Th) @ ID
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3V @ 250µA
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ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
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65 NC @ 10ボルト
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Vgs (最高)
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±25V
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入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
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2865 pF @ 15ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失(最高)
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2.3W (Ta)、36W (Tc)
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実用温度
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-55°C | 150°C (TJ)
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-MLP (3.3x3.3)
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターFDMC6675BZのN-Channel MOSFETのパワー エレクトロニクス
特徴:
•650V下水管源の電圧
•230A 25°Cの連続的な下水管の流れ
•低いゲート充満
•速い切換え
•低いオン抵抗
•迎合的なRoHS
適用:
•運動制御
•転換の電源
•力インバーター
•動力工具
•充電器
•家庭電化製品
•産業オートメーション
•制御をつけること
•装置AVの