Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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BSC093N04LSG MOSFET パワー エレクトロニクス 高性能低電圧パワー エレクトロニクス ソリューション

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BSC093N04LSG MOSFET パワー エレクトロニクス 高性能低電圧パワー エレクトロニクス ソリューション

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型式番号 :BSC093N04LSG
原産地 :原物
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1 - 3日
包装の細部 :標準
最高の下水管源の電圧 :30V
最高の下水管の流れ :75A
絶縁破壊電圧 :35V
最高の電力損失 :6.3W
パッケージ :TO-220AB
迎合的 :ROHS
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BSC093N04LSG MOSFET 電源

エレクトロニクス 高性能低電圧パワー エレクトロニクス ソリューション

説明:

BSC093N04LSG は、低いオン抵抗と高速スイッチング特性を備えた N チャネル エンハンスメント モード MOSFET です。高電流スイッチングアプリケーションで使用するために設計されています。このMOSFETの最大ドレイン・ソース間電圧は30V、最大ドレイン電流は75Aです。また、耐圧は 35V、最大消費電力は 6.3W です。TO-220AB パッケージで提供され、RoHS に準拠しています。

特徴:

・低いオン抵抗
• 高速スイッチング
• 最大ドレイン・ソース間電圧: 30V
• 最大ドレイン電流: 75A
• 耐電圧: 35V
• 最大消費電力: 6.3W
・TO-220ABパッケージ
• RoHS対応

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