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力MOSFETFDB024N08BL7ために高い-E効率力エレクトロニクスアプリケーション シングル N チャンネル PQFN8 120 V 4.0 m 114 A
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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2.4ミリオーム @ 100A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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4.5V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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178nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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13530 pF @ 40 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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246W(Tc)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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TO-263-7
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パッケージ・ケース
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製品リスト:
FDB024N08BL7 – オン・セミコンダクター N チャネル MOSFET パワー エレクトロニクス
特徴：
• NチャネルエンハンスメントモードMOSFET
• 低いオン抵抗
• 低いゲート電荷
• 大電流能力
• 高速スイッチング
• アバランチ定格
仕様:
• ドレイン・ソース間電圧: VDSS = 24 V
• ゲート・ソース間電圧: VGSS = ±20 V
• オン状態抵抗: RDS(on) = 0.0085 Ω (標準値)
• ドレイン電流: ID = 8 A (連続)
• 消費電力: Pd = 24.5 W
• 動作温度範囲: -55°C ～ +150°C
• 包装: TO-220
