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Nチャンネルパワートレンチ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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135ミリオーム @ 6A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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4V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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27nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±25V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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900 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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2.5W(Ta)、44W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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TO-252AA
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パッケージ・ケース
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説明
この P チャネル エンハンスメント モード パワー MOSFET は、Fairchild Semiconductor 独自のプレーナ ストライプおよび DMOS テクノロジを使用して製造されています。この高度な MOSFET テクノロジーは、オン状態抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高いアバランシェ エネルギー強度を提供するように特に調整されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、オーディオアンプ、DC モーターに適しています。
制御および可変スイッチング電力アプリケーション。
