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3 年
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N-Channel PowerTrench
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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6V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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23mOhm @ 7.5A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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37 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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2015 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.5W （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-SOIC
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パッケージ/場合
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特徴
•rDS （） = 19mΩ （タイプ。）、VGS = 10V、ID = 7.5A
•Qg （幼児） = 28nC （タイプ。）、VGS = 10V
•ミラー低い充満
•低いQRRボディ ダイオード
•高周波の最大限に活用された効率
•UISの機能（単一の脈拍および反復的な脈拍）
適用
•DC/DCのコンバーターおよびオフ・ラインUPS
•分散力の建築およびVRMs
•24Vおよび48Vシステムのための第一次スイッチ
•高圧同期整流器
