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NTD20N03L27T4G MOSFETのパワー エレクトロニクス20 30 V N−Channel DPAKの論理のレベルの垂直
N-Channel PowerTrench
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4V、5V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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27mOhm @ 10A、5V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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2V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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18.9のNC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1260 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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1.75W （Ta）、74W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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DPAK
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パッケージ/場合
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この論理のレベル縦力MOSFETは安価力のパッケージの「設計のベスト」利用できる今日を提供する一般目的の部分である。なだれのエネルギー問題はこの部分に理想的な設計をする。
drain−to−sourceのダイオードに理想的で速く柔らかい回復がある。
特徴
•Ultra−Low RDS （）、単一の基盤、先端技術
•利用できるスパイス変数
•ダイオードはブリッジ・サーキットの使用のために特徴付けられる
•高温で指定されるIDSSおよびVDS （）
•高いなだれエネルギーは指定した
•ESD JEDACはHBMのクラス1、クラスMMをAのCDMのクラス0評価した
•自動車および他の適用要求のためのNVDの接頭辞
独特な場所および制御変化の条件;AEC−Q101
可能な修飾され、PPAP
•これらの装置はPb−Free、迎合的なRoHSである
典型的な適用
•電源
•誘導負荷
•PWMの運動制御
•多くの適用のMTD20N03Lを取り替える
