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IRFR3607TRPBF MOSFETのパワー エレクトロニクスN-Channelによって高められるボディ ダイオードのdV dtおよびディディミアムdtのパッケージTO-252
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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9mOhm @ 46A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 100µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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84 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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3070 pF @ 50ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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140W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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D朴
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パッケージ/場合
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適用
か。SMPSの高性能の同期改正
か。無停電電源装置
か。高速力の切換え
か。懸命に転換された高周波回路の利点
か。改良されたゲート、なだれおよび動的dv/dtの険しさ
か。十分に特徴付けられたキャパシタンスおよびなだれSOA
か。高められたボディ ダイオードdV/dtおよびdI/dt
