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IRFB4020PBF MOSFETのパワー エレクトロニクス
改善された効率のためのTO-220ABのパッケージのN-Channel低いRDSON
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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100mOhm @ 11A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4.9V @ 100µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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29 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1200 pF @ 50ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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100W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-220AB
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パッケージ/場合
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特徴
•主変数はクラスDのオーディオ・アンプの塗布のために最大限に活用した
•改善された効率のための低いRDSON
•よりよいTHDおよび改善された効率のための低いQGそしてQSW
•よりよいTHDおよびより低いEMIのための低いQRR
•175°C険しさのための作動の接合部温度
•半橋構成アンプの8Ω負荷にチャネルごとの300Wまで渡すことができる
記述
このデジタル音声MOSFETはクラスDのオーディオ・アンプの塗布のためにとりわけ設計されている。ケイ素区域ごとの低いオン抵抗を達成するこのMOSFETのutilizestheの最も最近の加工の技巧。効率、THDおよびEMIのようなキーのクラスDのオーディオ・アンプのperformancefactorsを改善するためになお、ゲート充満、ボディdiodereverse回復および内部ゲートの抵抗は最大限に活用される。
このMOSFETの付加的な特徴は175°C作動の接合部温度および反復的ななだれの機能である。これらの特徴はこのMOSFETにClassDのオーディオ・アンプの塗布のための非常に能率的で、強い信頼できる装置を作るために結合する。
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