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3 年
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IRF100S201 MOSFETのパワー エレクトロニクス
PG-TO263-3パッケージのN-Channel共鳴モード電源
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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4.2mOhm @ 115A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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255 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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9500 pF @ 50ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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441W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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PG-TO263-3
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パッケージ/場合
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適用
はモーター ドライブ塗布にブラシをかけた
BLDCモーター ドライブ塗布
の電池式回路
半橋および全橋地勢学
の同期整流器の塗布
共鳴モード電源
のOリングおよび余分な電源スイッチ
DC/DCおよびAC/DCのコンバーター
DC/ACインバーター
利点
によって改良されるゲート、なだれおよび動的dV/dtの険しさ
は十分にキャパシタンスおよびなだれSOAを特徴付けた
によって高められるボディ ダイオードdV/dtおよびdI/dtの機能
、迎合的なRoHS無鉛ハロゲンなし
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