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IRF3710STRLPBF MOSFET パワー エレクトロニクス D2PAK パッケージ高度なプロセス テクノロジ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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23ミリオーム @ 28A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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4V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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130nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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3130 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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200W(TC)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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International Rectifier の高度な HEXFET® パワー MOSFET は、高度な処理技術を利用して、シリコン面積あたりの極めて低いオン抵抗を実現します。この利点は、HEXFET パワー MOSFET のよく知られている高速スイッチング速度と耐久性の高いデバイス設計と組み合わせることで、設計者にさまざまなアプリケーションで使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスを提供します。
D2Pak は、最大 HEX-4 のダイ サイズに対応できる表面実装パワー パッケージです。既存の表面実装パッケージの中で最高の電力能力と可能な限り低いオン抵抗を提供します。D2Pak は内部接続抵抗が低いため大電流アプリケーションに適しており、一般的な表面実装アプリケーションで最大 2.0W を消費できます。薄型アプリケーションには、スルーホール バージョン (IRF3710L) が用意されています。
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