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BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET パワー エレクトロニクス N チャネル OptiMOSTM パワー トランジスタ 60VパッケージPG-TSDSON-8 フロリダ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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9.9ミリオーム @ 20A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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2.3V @ 14μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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3.1 nC @ 4.5 V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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1300 pF @ 30 V
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FETの特徴
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標準
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消費電力(最大)
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36W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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PG-TSDSON-8-FL
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パッケージ・ケース
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特徴
•高性能SMPS、egsync.rec用に最適化。
•100%雪崩テスト済み
・優れた耐熱性
・Nチャンネル
•JEDECに準拠した認定1)対象アプリケーション
•鉛フリー鉛めっき、RoHS準拠
•IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー
