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NTD5865NLT4G MOSFETのパワー エレクトロニクスのN-Channel 60 V 46 A 16のmのパッケージTO-252
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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16mOhm @ 20A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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2V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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29 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1400 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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71W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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DPAK
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パッケージ/場合
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特徴
•低いゲート充満
•速い切換え
•高い現在の機能
•100%のなだれはテストした
•これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲン迎合的なRoHSである
