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FDP18N50 MOSFET パワーエレクトロニクス N チャネル UniFETTMパッケージ TO-220スイッチングパワーコンバータアプリケーション
Nチャンネルパワートレンチ
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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265ミリオーム @ 9A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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5V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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60nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±30V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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2860 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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235W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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TO-220-3
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パッケージ・ケース
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特徴
• RDS(on) = 220 mΩ (標準) @ V GS = 10 V、ID = 9 A
• 低いゲート電荷 (標準値 45 nC)
• 低いC rss (標準値25 pF)
• 100% 雪崩テスト済み
アプリケーション
• LCD/LED/PDP TV
• 照明
• 無停電電源装置
説明
UniFET TM MOSFET は、プレーナー ストライプおよび DMOS テクノロジーに基づいた Fairchild Semiconductor の高電圧 MOSFET ファミリです。
この MOSFET は、オン状態抵抗を低減し、より優れたスイッチング性能とより高いアバランシェ エネルギー強度を提供するように調整されています。このデバイス ファミリは、力率改善 (PFC)、フラット パネル ディスプレイ (FPD) TV 電源、ATX、電子ランプ安定器などのスイッチング電力コンバータ アプリケーションに適しています。
