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3 年
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FDMC86570L MOSFET パワー エレクトロニクス
NチャンネルシールドゲートPOWERTRENCH 60 V DC-DC変換
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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4.3ミリオーム @ 18A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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3V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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88nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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6705 pF @ 30 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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2.3W(Ta)、54W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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パワー33
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パッケージ・ケース
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概要
この N チャネル MOSFET は、シールド ゲート テクノロジーを組み込んだ onsemi の高度な POWERTRENCH プロセスを使用して製造されています。このプロセスはオン状態抵抗を考慮して最適化されており、優れたスイッチング性能を維持します。
特徴
• シールドゲートMOSFETテクノロジー
• VGS = 10 V、ID = 18 A で最大 rDS(on) = 4.3 m
• VGS = 4.5 V、ID = 15 A で最大 rDS(on) = 6.5 m
• 極めて低い rDS(on) を実現する高性能テクノロジー
• これらのデバイスは鉛フリーで、RoHS 準拠のアプリケーションです。
・DC-DC変換
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